CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：

介电材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

类金刚石（DLC）

产品特点：

PLC工控机控制整个清洗过程，全自动进行。

7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化操作界面显示，自动监测工艺参数状态，0~99配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。

手动、自动两种工作模式。

全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

采用防腐数字流量计控制，标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。

符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。

316不锈钢、航空铝真空仓选择。

采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。

有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。

安全保护，仓门打开，自动关闭电源。

技术参数

当等离子蚀刻应用涉及使用氧气作为工艺气体时，出于安全原因，强烈建议使用Edwards爱德华真空泵 RV3双级旋片泵或类似的合成油旋转机械泵。因为Edwards爱德华RV3双级旋片泵在泵科学应用方面已成为行业标准。当然，在需要避免使用油基旋转机械泵的地方，也可选择干式真空泵。